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“计电讲坛”系列活动第14期华中科技大学王智强教授做学术报告

时间:2024年04月03日 10:56点击数:

文稿:王冰冰 | 摄影:周华阳

 

2024325日下午,由澳门bet356体育在线官网团委、研究生会和中国计算机学会CCFbest365在线官网登录入口学生分会共同主办的 “计电讲坛”系列活动第14期学术报告会在学院一楼报告厅举行。本次活动邀请了华中科技大学的王智强教授以“碳化硅(SiC)功率模块在高温高功率密度应用中的技术挑战与探索”为题,开展了一场精彩的专家学术报告会。

会议伊始,王智强教授给予会师生介绍华中科技大学电气与电子工程学院、宽禁带电力电子创新团队、功率半导体的纵向环节研究以及800m2国内一流的功率半导体封装集成与电力电子技术研究实验室等情况,并运用通俗的事例形象地说明电力电子技术的原理,介绍半导体材料对于电力电子变换器效率提升的重要性,讲述了半导体材料最新的发展现状以及遇到的现实难题。

1 王智强教授报告现场

接着,王智强教授向我们介绍了有关碳化硅(SiC)功率半导体模块相对传统Si模块具有全面的性能优势(耐压等级更高、开关损耗更小、工作结温更高等),在多电飞机、电动汽车等高温高功率应用中具有广阔前景。然而,这些应用的发展对SiC功率模块提出了越来越高的技术挑战,如耐受更高环境温度、更小的体积和重量、更高的可靠性。针对这些挑战,王教授从SiC功率模块封装集成角度介绍相关前沿技术探索,包括高温SiC功率模块封装集成、低感SiC功率模块封装、SiC功率模块快速短路保护等技术方向做了具体阐述。

2 王智强教授介绍低感封装结构

 

最后,同学们围绕王智强教授的报告内容,提出自己的问题跟王教授请教交流。活动现场精彩热烈,同学们收获满满。

3 在场师生认真聆听讲座

4现场同学积极提问(1)

5 现场同学积极提问(2)

6 现场同学积极提问(3)

7 现场同学积极提问(4

 

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